Vishay / Siliconix TrenchFET Gen IV MOSFETs
Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen RDS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.
Die TrenchFET MOSFETs sind in unterschiedlichen Leistungs-MOSFETs in zahlreichen modernen Gehäusen erhältlich, wie z. .B. -200 V bis 800 V Durchschlagspannungen und eine Vielzahl von Gate-Antriebsspannungen von 1,2 V. Diese MOSFETs sind mit dem niedrigsten RDS(on) für Lastschalter-Applikationen und für die niedrigste Gate-Ladung und Kapazitäten für eine schnelle Schaltung optimiert. Die MOSFETs werden nach Niederspannungs- und Mittelspannungs-TrenchFETs differenziert.
Die Niederspannungs-TrenchFET® haben einen hohen Wirkungsgrad sowie eine erhöhte Leistungsdichte und sind in platzsparenden Gehäusen erhältlich. Dadurch eignen sie sich hervorragend für Unterhaltungselektronik, Drohnen, Computer und Telekommunikationsausrüstungen.
Die Mittelspannungs-TrenchFET® verfügen über kompakte und hocheffiziente Bauteile, die eine Layout-Optimierung, eine Reduzierung der Komponentenanzahl und den höchsten Wirkungsgrad ermöglichen. Dadurch eignen sie sich hervorragend für Netzteile, Motorantriebssteuerungen und erneuerbare Energien.
Vishay Siliconix SkyFET MOSFETs sind auch Teil des Vishay Siliconix TrenchFET Gen IV Leistungs-MOSFETs-Angebots.
Merkmale
- Neueste Technologie optimiert verschiedene wichtige technische Daten:
- DS(on)S=4,5 V
- Bis zum sehr niedrigen RDS(on) von 0,001 Ω bei VGS=10 V
- Sehr niedriger Qgd und außergewöhnlich niedriges Qgd/Qgs-Verhältnis: <0,5
- Qgd/Qgs-Verhältnis bis zu 0,3
- Verbesserte Immunität zu CdV/dt-Gate-Kopplung
Applikationen
- Synchrongleichrichtung
- Primärseitiger Schalter
- DC/DC-Wandler
- Telekommunikations-Bricks
- PCs
- Server
- Adapter- und Ladegerät-Schalter
- Lastschalter
- Motorantriebsschalter
- Industrie
Infografik Leistungs-MOSFET
Infografik Niedrig-Leistungs-MOSFET
Infografik Mittelspannungs-Leistungs-MOSFET
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