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SIA429DJT-T1-GE3

Name: Vishay SIA429DJT-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA429DJT-T1-GE3
Price: 0.76 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SIA429DJT-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIA429DJT-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

Datenblatt:

SIA429DJT-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,765 €	0,77 €
	0,473 €	4,73 €
	0,307 €	30,70 €
	0,236 €	118,00 €
	0,212 €	212,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,182 €	546,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SC-70-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	20.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	62 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET, PowerPAK
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	SIA
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	SIA429DJT-GE3

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Datenblatt

SIA429DJT-T1-GE3 Datenblatt

Models

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

SiA429DJT 20V p-Kanal-MOSFETs

Vishay Siliconix SiA429DJT 20V p-Kanal-TrenchFET® Leistungs-MOSFETs bieten den branchenweit niedrigsten On-Widerstand für ein p-Kanal-Gerät mit einem Profil unter 0,8mm und dem niedrigsten On-Widerstand für alle 2mm x 2mm p-Kanal-Geräte. Vishay Siliconix SiA429DJT TrenchFET Leistungs-MOSFETs werden in einem thermisch verstärkten, dünnen PowerPAK® SC-70-Gehäuse mit sehr dünnem 0,6mm Profil geliefert. Das SiA429DJT ist ideal für DC/DC-Wandler und Last- und Ladeschalter. Der On-Widerstand von SiA429DJT TrenchFET MOSFETs bei 1,8V ist 12% niedriger als das entsprechende Konkurrenzprodukt, einschließlich der MOSFETs mit dem Standard-0,8 mm-Profil. Der niedrigere On-Widerstand resultiert in niedrigeren Leitungsverlusten.
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