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SIA436DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA436DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIA436DJ-T1-GE3
Price: 0.86 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIA436DJ-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIA436DJ-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

Datenblatt:

SIA436DJ-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,86 €	0,86 €
	0,536 €	5,36 €
	0,35 €	35,00 €
	0,27 €	135,00 €
	0,244 €	244,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,215 €	645,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SC-70-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	8 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, 5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	350 mV
Qg - Gate-Ladung:	15 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	19 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET, PowerPAK
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	70 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	SIA
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns
Artikel # Aliases:	SIA436DJ-GE3
Gewicht pro Stück:	1 g

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Datenblatt

SIA436DJ-T1-GE3 Datenblatt

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PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET

Vishay / Siliconix SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET is offered in a compact PowerPAK SC-70 package to save PCB space in portable electronics. This MOSFET comes with on-resistance values that are 18% lower than previous generation solutions and up to 64% lower than the closest competing N-channel device in a 2mm x 2mm footprint area. This ultra-low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption, in addition to a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted undervoltage lockout. Vishay / Siliconix SiA436DJ on-resistance ratings are down to 1.2V, which simplifies circuit design by allowing the MOSFET to work with the low voltage power rails common in handheld devices, providing longer battery operation between charges.