Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs offer co-packaged MOSFETs to reduce space and increase performance over two discrete. These Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs combine two MOSFETs into a compact package. By combining the devices into one package the Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs simplify the layout, reduces parasitic inductance from PCB traces, increases efficiency, and reduces ringing. Typical applications include system power, POL, and synchronous buck converters in notebooks.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Vishay Semiconductors MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
Datenblatt
6.683Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 20 A, 60 A 4.7 mOhms, 2.2 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 18 nC, 44.3 nC - 55 C + 150 C 20.2 W, 32.9 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
Datenblatt
6.000Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAIR-3x3-8 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A, 40 A 9.5 mOhms, 5.1 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 19 nC, 35 nC - 55 C + 150 C 16.7 W, 31 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel