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onsemi NVXK2VR80WxT2 Siliziumkarbid(SiC)-Module

Die   NVXK2VR80WxT2 Siliziumkarbid(SiC)-Module von onsemi sind 1200 V, 80 mΩ Dreiphasen-Brückenleistungsmodule, die in einem DIP-Gehäuse untergebracht sind. Diese SiC-Module sind für einen niedrigen Gesamtwiderstand des Moduls kompakt ausgelegt. Die NVXK2VR80WxT2 Leistungsmodule sind  gemäß AEC-Q101 und AQG324 für Fahrzeuganwendungen zugelassen. Diese Leistungsmodule sind bleifrei und ROHS-UL94V-0-konform. Die Temperaturmessung der NVXK2VR80WxT2 SiC-Module und der niedrigste Wärmewiderstand machen sie ideal für PFC-On-Board-Ladegeräte in xEV-Applikationen.

Merkmale

  • DIP-Dreiphasen-SiC-Brückenleistungsmodul
  • Drain-Source-Spannung (VDSS): 1.200 V
  • Dauersenkenstrom von 20 A (ID) – (NVXK2VR80WDT2)
  • Dauersenkenstrom von 31 A (ID) – (NVXK2VR80WXT2)
  • Drain-Source-On-Widerstand (RDS(ON)) (typisch): 80 mΩ
  • Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich (TJ): -55 °C bis +175 °C
  • Kriech- und Luftstrecke gemäß IEC60664-1 und IEC 60950-1
  • Kompaktes Design für einen niedrigen Gesamtwiderstand des Modul
  • Modul-Serialisierung für vollständige Rückverfolgbarkeit
  • Bleifrei
  • RoHS- und UL94V-0-konform
  • Gemäß AEC-Q101 und AQG324 für Fahrzeuganwendungen zugelassen

Applikationen

  • PFC für On-Board-Ladegerät in xEV-Applikationen
  • 11 kW bis 22 kW On-Board-Ladegerät für EV-PHEV

SiC-MOSFET-3-Phasen-Brückenmodul

onsemi NVXK2VR80WxT2 Siliziumkarbid(SiC)-Module

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Teilnummer Datenblatt Id - Drain-Gleichstrom Pd - Verlustleistung Rds On - Drain-Source-Widerstand Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Anzahl der Kanäle Anstiegszeit Abfallzeit Länge Breite Höhe Verpackung/Gehäuse Verpackung RoHS - Mouser
NVXK2VR80WDT2 NVXK2VR80WDT2 Datenblatt 20 A 82 W 116 mOhms 1.2 kV - 15 V, + 25 V 4.3 V 6 Channel 12 ns 9 ns 44.2 mm 29 mm 5.8 mm APM-32 Tube Y
NVXK2VR80WXT2 NVXK2VR80WXT2 Datenblatt 31 A 208 W 116 mOhms 1.2 kV - 15 V, + 25 V 4.3 V 6 Channel 12 ns 9 ns 44.2 mm 29 mm 5.8 mm APM-32 Tube Y
Veröffentlichungsdatum: 2024-08-06 | Aktualisiert: 2024-08-28