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NVXK2VR80WDT2

Name: onsemi NVXK2VR80WDT2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2VR80WDT2
Price: 49.16 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVXK2VR80WDT2

Herst.- Nr.:

NVXK2VR80WDT2

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFET-Module APM32 SIC POWER MODULE

Lebenszyklus:

Neu bei Mouser

Datenblatt:

NVXK2VR80WDT2 Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	APM-32
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	6 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	116 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	82 W
Serie:	NVXK2VR80WDT2
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Konfiguration:	3-Phase Bridge
Abfallzeit:	9 ns
Höhe:	5.8 mm
Länge:	44.2 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	12 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Power Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Breite:	29 mm

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Datenblatt

NVXK2VR80WDT2 Datenblatt

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NVXK2VR80WxT2 Siliziumkarbid(SiC)-Module

Die NVXK2VR80WxT2 Siliziumkarbid(SiC)-Module von onsemi sind 1200 V, 80 mΩ Dreiphasen-Brückenleistungsmodule, die in einem DIP-Gehäuse untergebracht sind. Diese SiC-Module sind für einen niedrigen Gesamtwiderstand des Moduls kompakt ausgelegt. Die NVXK2VR80WxT2 Leistungsmodule sind gemäß AEC-Q101 und AQG324 für Fahrzeuganwendungen zugelassen. Diese Leistungsmodule sind bleifrei und ROHS-UL94V-0-konform. Die Temperaturmessung der NVXK2VR80WxT2 SiC-Module und der niedrigste Wärmewiderstand machen sie ideal für PFC-On-Board-Ladegeräte in xEV-Applikationen.