NVXK2VR80WxT2 Siliziumkarbid(SiC)-Module

Die   NVXK2VR80WxT2 Siliziumkarbid(SiC)-Module von onsemi sind 1200 V, 80 mΩ Dreiphasen-Brückenleistungsmodule, die in einem DIP-Gehäuse untergebracht sind. Diese SiC-Module sind für einen niedrigen Gesamtwiderstand des Moduls kompakt ausgelegt. Die NVXK2VR80WxT2 Leistungsmodule sind  gemäß AEC-Q101 und AQG324 für Fahrzeuganwendungen zugelassen. Diese Leistungsmodule sind bleifrei und ROHS-UL94V-0-konform. Die Temperaturmessung der NVXK2VR80WxT2 SiC-Module und der niedrigste Wärmewiderstand machen sie ideal für PFC-On-Board-Ladegeräte in xEV-Applikationen.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
onsemi MOSFET-Module APM32 SIC POWER MODULE
Datenblatt
60Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 20 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 82 W NVXK2VR80WDT2 Tube
onsemi MOSFET-Module APM32 SIC POWER MODULE
Datenblatt
44Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 31 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 208 W NVXK2VR80WXT2 Tube