onsemi NVXK2TR80WDT Siliziumkarbid(SiC)-Modul
Das onsemi NVXK2TR80WDT Siliziumkarbid(SiC)-Modul ist ein 1200 V, 80 mΩ und 20 A Dual-Halbbrücken-EliteSiC-Leistungsmodul, das in einem APM32 DIP-Gehäuse (Dual Inline Package) untergebracht ist. Dieses SiC-Modul ist für einen niedrigen Gesamtmodulwiderstand kompakt ausgelegt. Das NVXK2TR80WDT Leistungsmodul ist gemäß AEC-Q101 und AQG324 für Fahrzeuganwendungen zugelassen. Dieses Leistungsmodul ist bleifrei, RoHS- und UL94V-0-konform. Das NVXK2TR80WDT EliteSiC-MOSFET-Modul eignet sich hervorragend für den Einsatz in HV-DC/DC- und On-Board-Ladegeräten in xEV-Applikationen.
Merkmale
- DIP-Siliziumkarbid,(SiC)-Dual-Halbbrücken-Leistungsmodul
- Drain-Source-Spannung (VDSS): 1.200 V
- Dauersenkenstrom (ID): 20 A
- Drain-Source-On-Widerstand (RDS(ON)) (typisch): 80 mΩ
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich (TJ): -40 °C bis +175 °C
- Kriech- und Luftstrecke gemäß IEC60664-1 und IEC 60950-1
- Kompaktes Design für einen niedrigen Gesamtwiderstand des Modul
- Modul-Serialisierung für vollständige Rückverfolgbarkeit
- Bleifrei
- RoHS- und UL94V-0-konform
- Gemäß AEC-Q101 und AQG324 für Fahrzeuganwendungen zugelassen
Applikationen
- HV-DC/DC und On-board-Ladegerät für EV-PHEV
- 11 kW bis 22 kW On-Board-Ladegerät für EV-PHEV
SiC-MOSFET-Halbbrückenmodul
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Veröffentlichungsdatum: 2024-08-02
| Aktualisiert: 2024-08-28