Neu Transistoren

IXYS X4-Class Power MOSFETs offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency. These power MOSFETs come in a PLUS package, enabling higher nominal current rating and increased power density. The X4-Class power MOSFETs are pin compatible with the standard TO-247 package and are easy to upgrade from existing designs for higher power output. These power MOSFETs feature low gate charge and low thermal resistance. Typical applications include DC load switch, battery protection, battery OR-ing, battery energy storage systems, and DC/DC buck-boost converters.
-
IXYS X4-Class Power MOSFETsOffer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.02.02.2026 -
Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.20.01.2026 -
Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.19.01.2026 -
Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.19.01.2026 -
onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFETDieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).26.12.2025 -
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETsSetzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.23.12.2025 -
onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFETEntwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.19.12.2025 -
Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETsEntwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.19.12.2025 -
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETsDiese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.04.12.2025 -
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTORE-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.04.12.2025 -
Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete TransistorenDTO247-Gehäuse, ersetzt mehrere Transistoren mit niedrigerem Strom in TO247-Gehäusen, die parallel geschaltet sind.01.12.2025 -
onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFETBietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.25.11.2025 -
onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.25.11.2025 -
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETsDesigned for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.24.11.2025 -
onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETDas Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.20.11.2025 -
Central Semiconductor 1700 V n-Kanal-MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC)These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.20.11.2025 -
onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETsDie Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.20.11.2025 -
onsemi AFGB30T65RQDN IGBTBietet eine hohe Gütezahl bei geringen Leitungs- und Schaltverlusten.19.11.2025 -
onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFETHocheffizienter Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen.19.11.2025 -
onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETHochleistungs-MOSFET für Niederspannungsanwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern.19.11.2025 -
STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-TransistorBasiert auf GaN-Technologie und ist für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs-Applikationen konzipiert.07.11.2025 -
Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal TransistorThe device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.31.10.2025 -
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal TransistorThe device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.31.10.2025 -
Diodes Incorporated 2N7002 n-Kanal-Anreicherungsmodus-FeldeffekttransistorenBietet schnelles Schaltverhalten mit niedriger Gate-Ladung und maximaler Drain-Source-Spannung von 60 V.31.10.2025 -
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual-n-Kanal-E-Mode-MOSFETIntegriert zwei MOSFETs in einem einzigen PowerDI®-Gehäuse mit den Abmessungen von 5 mm x 6 mm und hervorragendem Betriebsverhalten.31.10.2025 -
