ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor entwirft und produziert Halbleiter, Integrierte Schaltkreise und andere elektronische Komponenten für den drahtlosen, Computer-, Automobil- und Unterhaltungselektronik-Markt. Das Produktportfolio von ROHM Semiconductor umfasst Audio/Video-ICs, drahtlose Audioverbindungen, Bildsensoren, diskrete Rauschschutzlösungen, Speicherprodukte mit Doppelzellentechnologie, energieeffiziente Power-Management-Komponenten und LEDs.
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ROHM Semiconductor R6049YN N-Kanal-Leistungs-MOSFETsBieten eine Hochgeschwindigkeitsschaltung und niedrige Einschaltwiderstände für Schaltapplikationen.19.09.2023 -
ROHM Semiconductor YQx0 Automobilstandard-Schottky-Barriere-DiodenAEC-Q101-qualifizierte Bauteile, die niedrige Durchlassspannungen, Sperrströme und Kapazitäten bieten.19.09.2023 -
ROHM Semiconductor YQx0 Schottky-Barriere-DiodenBietet niedrige Durchlassspannungen, Sperrströme und Kapazitäten mit hoher Zuverlässigkeit.19.09.2023 -
ROHM Semiconductor RASMID Silizium-HF-KondensatorenBieten eine hohe Zuverlässigkeit, 180 μ m niedriges Profil, 3,6 V Nennspannung in einem 0,4 mm x 0,2 mm Gehäuse.05.09.2023 -
ROHM Semiconductor 30-V-Automotive-Schottky-Barriere-DiodenHohe Zuverlässigkeit und extrem niedriger Sperrstrom (IR).22.08.2023 -
ROHM Semiconductor HP8K/HT8K Zweikanal-Anreicherungstyp-MOSFETsBieten eine zweifache n-Kanal- oder n-Kanal-/p-Kanal-Transistorpolarität in kleinen HSMT8- und HSOP8-Gehäusen.18.08.2023 -
ROHM Semiconductor Nano Cap 650 V GaN-HEMT-Leistungsstufen-ICsFür anspruchsvolle Elektroniksysteme ausgelegt.25.07.2023 -
ROHM Semiconductor 650 V GaN-HEMT-Leistungsstufen-EvaluierungsboardsWird zur Evaluierung der 650 V GaN-HEMT-Leistungsstufen-ICs verwendet.25.07.2023 -
ROHM Semiconductor BD8372UEFJ-M Einkanal-Quellentreiber für AutomotiveHochmoderner LED-Quellentreiber für eine hohe Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit.05.07.2023 -
ROHM Semiconductor LTR-Hochleistungs-Dickschicht-Querwiderstand10 m Ω niederohmiger Chip-Widerstand zur Stromerkennung.08.06.2023 -
ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650 V E-Modus GaN-FETsGeringer On-Widerstand/schnelles Schalten für effiziente Leistungsumwandlung und geringe Größe.30.05.2023 -
ROHM Semiconductor RS6/RH6 N-Kanal-Leistungs-MOSFETs im Cu-Clip-GehäuseMOSFETs mit hoher Strombelastbarkeit/reduziertem Gehäusewiderstand, die in einem HSOP-8- und HSMT-8-Gehäuse untergebracht sind.24.05.2023 -
ROHM Semiconductor BD14210G-LA StrommessverstärkerVerfügt über einen großen Gleichtaktspannungsbereich von -0,2 V bis 26 V und eine Gain-Genauigkeit von ±1 % (max).24.05.2023 -
ROHM Semiconductor BD14210G-EVK-001 EvaluierungsboardVerfügt über zwei Schichten mit einer Größe von 90 mm x 80 mm x 1,6 mm.24.05.2023 -
ROHM Semiconductor SMLS1 Einfarbige Chip-LEDs in StandardbauformBietet enge Richtwirkung und hohe Helligkeit in einem oberflächenmontierten 3216 (1206 metrisch) Gehäuse.19.05.2023 -
ROHM Semiconductor RS6N120BH n-Kanal-Leistungs-MOSFETKompakter verlustarmer MOSFET, der über einen Cu-Clip-Aufbau verfügt und zu einem Betrieb mit hohem Wirkungsgrad beiträgt.19.05.2023 -
ROHM Semiconductor KD2 Große Hochgeschwindigkeits-EtikettendruckerZur Erfüllung der hohen Zuverlässigkeitsstandards ausgelegt, die für Industrieanlagen erforderlich sind.05.05.2023 -
ROHM Semiconductor RBLQ20NL und RBLQ30NL SCHOTTKY Barriere-DiodenKonzipiert für eine große Auswahl von Anwendungen, die hohe Zuverlässigkeit und eine geringe Verlustleistung erfordern.05.05.2023 -
ROHM Semiconductor PSR350 Hochleistungs-Metallplatten-QuerwiderstandBietet eine Nennleistung von 12 W in einem flachen, oberflächenmontierten Aufbau, der Platz in der Schaltung spart03.05.2023 -
ROHM Semiconductor SFR01 und SFR03 Schwefeltolerante Chip-WiderständeEinzigartiger interner Aufbau bietet eine hohe Toleranz gegenüber schwefelhaltigen Umgebungen und erhöht die Zuverlässigkeit.03.05.2023 -
ROHM Semiconductor LTR50 Dickfilmwiderstände mit breiten AnschlüssenVerfügen über Anschlüsse an den Längsseiten, um eine Nennleistung von 2 W bei einer kompakten Größe von 2550 zu erreichen.03.05.2023 -
ROHM Semiconductor PML10 und PML18 Extrem niederohmige Chip-WiderständeBietet einen Gesamtwiderstandsbereich von 0,5 mΩ bis 2,5 mΩ mit einer Toleranz von ± 2 % bzw. ± 5 % in einer kompakten Größe.03.05.2023 -
ROHM Semiconductor SDR03 und SDR10 Dickfilmwiderstände mit hohem ÜberspannungsschutzBieten überlegene Nennleistungen mit 0,3 W für die Größe 1608 (0603) und 0,5 W für die Größe 2012 (0805).03.05.2023 -
ROHM Semiconductor SMLVN6RGBFU1C Oberflächenmontierbare Chip-LEDsVerfügt über eine dreifarbige (RGB) Schutzdiode (RGB) in einem 3,5 mm x 2,8 mm großem Gehäuse aus Kunstharz.06.04.2023 -
ROHM Semiconductor n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs der 4. GenerationSorgt für niedrige Einschaltwiderstände und verbessert die Kurzschlussfestigkeitszeit.16.03.2023