ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor entwickelt und fertigt Halbleiter, integrierte Schaltkreise und andere elektronische Bauteile für die Märkte für drahtlose Kommunikation, Computer, Fahrzeuge und Unterhaltungselektronik. Das Produkt-Portfolio von ROHM Semiconductor umfasst Audio/Video-ICs, drahtlose Audio-Links, Bild-Sensoren, diskrete Rauschschutzbauelemente, Speicherprodukte mit Doppelzellen-Technologie, energieeffiziente Leistungsmanagement-Bauelemente und LEDs.
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ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETsKompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.21.07.2026 -
ROHM Semiconductor GMR100 Chip-Shunt-WiderständeBietet eine Nennleistung von 5 W und 7 W in einem kompakten Gehäuse von 6,4 mm x 3,2 mm (Größe 2512).07.07.2026 -
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-LeistungsmoduleDie TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.10.04.2026 -
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten ModulenMit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.17.03.2026 -
ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C OperationsverstärkerRail-to-Rail-Eingang-/Ausgang- und Hochgeschwindigkeits-Dual-CMOS-Operationsverstärker.11.12.2025 -
ROHM Semiconductor LMRx802-LB OperationsverstärkerDer Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.24.11.2025 -
ROHM Semiconductor RN789FM PIN-DiodeKleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.18.11.2025 -
ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-WandlerUniverseller 12-Bit-A/D-Wandler mit 8 Kanälen und sukzessiver Approximation.18.11.2025 -
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFETDieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.18.11.2025 -
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFETDieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.18.11.2025 -
ROHM Semiconductor RPR-0730 FotoreflektorAnaloger optischer Sensor mit einem Infrarot-VCSEL (IrVCSEL) und einem Fototransistor.06.11.2025 -
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICsVerfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.03.11.2025 -
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETsDiese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.17.10.2025 -
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für FahrzeuganwendungenAEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.16.10.2025 -
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICsFür kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.26.09.2025 -
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 EvaluierungsboardDas Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.27.08.2025 -
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 EvaluierungsboardWurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.27.08.2025 -
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im AutomobilstandardDioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.21.08.2025 -
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle FreilaufdiodeEine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.21.08.2025 -
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETEin mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.21.08.2025 -
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETsDie Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.21.08.2025 -
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETsN-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.21.08.2025 -
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-DiodeBietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.20.08.2025 -
ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROMsDiese Bauteile sind 16Kbit serielle EEPROMs mit einer SPI BUS-Schnittstelle und 4 Millionen Schreibzyklen.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-DiodenDie in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet19.08.2025