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onsemi NVXK2PR80WXT2 Siliziumkarbid(SiC)-Modul

Das NVXK2PR80WXT2 Siliziumkarbid(SiC)-Modul von Onsemi  ist ein 1.200 V, 80 mΩ und 31 A Vollbrücken-Leistungsmodul, das in einem Dual-Inline-Gehäuse (DIP) untergebracht ist. Dieses SiC-Modul ist kompakt für einen niedrigen Gesamtmodulwiderstand ausgelegt. Das NVXK2PR80WXT2 Leistungsmodul ist  gemäß AEC-Q101 und AQG324 für Fahrzeuganwendungen zugelassen. Dieses Leistungsmodul ist bleifrei, RoHS- und UL94V-0-konform. Die Temperaturmessung des NVXK2PR80WXT2 SiC-Moduls und der niedrigste thermische Widerstand machen es ideal für DC/DC- und On-Board-Ladegeräte in xEV-Applikationen.

Merkmale

  • DIP-Siliziumkarbid(SiC)-Vollbrücken-Leistungsmodul
  • Drain-zu-Quellen-Spannung (VDSS): 1.200 V
  • Dauersenkenstrom (ID): 31 A
  • Drain-Source-On-Widerstand (RDS(ON)) (typisch): 80 mΩ
  • Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich (TJ): -55 °C bis +175 °C
  • Kriech- und Luftstrecke gemäß IEC60664-1 und IEC 60950-1
  • Kompaktes Design für einen niedrigen Gesamtwiderstand des Modul
  • Modul-Serialisierung für vollständige Rückverfolgbarkeit
  • Bleifrei
  • RoHS- und UL94V-0-konform
  • Gemäß AEC-Q101 und AQG324 für Fahrzeuganwendungen zugelassen

Applikationen

  • DC/DC und On-Board-Ladegerät in xEV-Applikationen
  • 11 kW bis 22 kW On-Board-Ladegerät für EV-PHEV

SiC-MOSFET-Vollbrückenmodul

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Veröffentlichungsdatum: 2024-08-02 | Aktualisiert: 2024-08-28