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Toshiba SSM6L56FE P-/N-Kanal-Silizium-MOSFETs

Toshiba  SSM6L56FE p-/n-Kanal-Silizium-MOSFETs sind für Hochgeschwindigkeitsschaltungen ausgelegt. Die  SSM6L56FE MOSFETs verfügen über einen Antrieb von 1,5 V und einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand.

Merkmale

  • Antrieb von 1,5 V
  • Niedriger Drain-Source-On-Widerstand
  • Q1 N-Kanal:
    • RDS(ON) = 235 mΩ (max.) (bei VGS = 4,5 V, ID = 800 mA)
    • RDS(ON) = 300 mΩ (max.) (bei VGS = 2,5 V, ID = 600 mA)
    • RDS(ON) = 480 mΩ (max.) (bei VGS = 1,8 V, ID = 200 mA)
    • RDS(ON) = 840 mΩ (max.) (bei VGS = 1,5 V, ID = 50 mA)
  • Q2 P-Kanal:
    • RDS(ON) = 390 mΩ (max.) (bei VGS = -4,5 V, ID = -800 mA)
    • RDS(ON) = 480 mΩ (max.) (bei VGS = -2,5 V, ID = -500 mA)
    • RDS(ON) = 660 mΩ (max.) (bei VGS = -1,8 V, ID = -200 mA)
    • RDS(ON) = 900 mΩ (max.) (bei VGS = -1,5 V, ID = -100 mA)
    • RDS(ON) = 4.000 mΩ (max.) (bei VGS = -1,2 V, ID = -10 mA)

Gehäuse und interne Schaltung

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Veröffentlichungsdatum: 2020-10-14 | Aktualisiert: 2024-11-25