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SSM6L56FE,LM

Name: Toshiba SSM6L56FE,LM
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6L56FELM
Price: 0.27 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-SSM6L56FELM

Herst.- Nr.:

SSM6L56FE,LM

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch + Pch Vdss: 20V Id: 800mA Pd: 0.15W

Datenblatt:

SSM6L56FE,LM Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,275 €	0,28 €
	0,169 €	1,69 €
	0,10 €	10,00 €
	0,079 €	39,50 €
	0,07 €	70,00 €
	0,061 €	122,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 4000)
	0,046 €	184,00 €
	0,039 €	312,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	ES-6
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	800 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	235 mOhms, 390 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	1 nC, 1.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	150 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.4 S, 0.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	4000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	8.5 ns, 26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.5 ns, 8 ns
Gewicht pro Stück:	3 mg

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Datenblatt

SSM6L56FE,LM Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Data

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

SSM6L56FE P-/N-Kanal-Silizium-MOSFETs

Toshiba SSM6L56FE p-/n-Kanal-Silizium-MOSFETs sind für Hochgeschwindigkeitsschaltungen ausgelegt. Die SSM6L56FE MOSFETs verfügen über einen Antrieb von 1,5 V und einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand.