Toshiba SSM6K51xNU Silizium-n-Kanal-MOSFETs
Toshiba SSM6K51xNU Silizium-n-Kanal-MOSFETs sind Teil des umfangreichen Portfolios von MOSFETs von Toshiba in verschiedenen Schaltungskonfigurationen und Gehäusen. Die Bauteile verfügen über eine hohe Geschwindigkeit, eine hohe Leistungsfähigkeit, einen niedrigen Verlust, einen niedrigen Einschaltwiderstand, ein kleines Gehäuse und vieles mehr. Die SSM6K51xNU eignen sich hervorragend für Leistungsmanagement-Schalter und verfügen über eine Hochgeschwindigkeits-Schaltung. Sie verfügen über einen Antrieb von 1,5 V mit niedrigem Drain-Source-On-Widerstand.
Merkmale
- Antrieb von 1,5 V
- Niedriger Drain-Source-On-Widerstand
- RDS(ON) = 33 mΩ (max.) (bei VGS = 4,5 V)
- RDS(ON) = 45 mΩ (max.) (bei VGS = 2,5 V)
- RDS(ON) = 74 mΩ (max.) (bei VGS = 1,8 V)
- RDS(ON) = 108 mΩ (max.) (bei VGS = 1,5 V)
Applikationen
- Leistungsmanagement-Schalter
- Hochgeschwindigkeits-Schaltung
Gehäuse und Pinbelegung
Verwandte Produkte
Toshiba SSM6L56FE P-/N-Kanal-Silizium-MOSFETs
Für Hochgeschwindigkeitsschaltungen ausgelegt.
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| Teilnummer | Datenblatt | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Vgs - Gate-Source-Spannung | Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung | Qg - Gate-Ladung | Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SSM6K516NU,LF |  |
46 mOhms | - 12 V, 20 V | 2.5 V | 2.5 nC | 30 V |
| SSM6K517NU,LF | |
39.1 mOhms | - 8 V, 12 V | 1 V | 3.2 nC | 30 V |
| SSM6K518NU,LF | |
108 mOhms | - 8 V, 8 V | 1 V | 3.6 nC | 20 V |
Veröffentlichungsdatum: 2020-10-14
| Aktualisiert: 2024-11-22