ROHM Semiconductor RD3U041AAFRA n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 250 V und 4 A
Der n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 250 V und 4 A der Baureihe RD3U041AAFRA von ROHM Semiconductor verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeiten. Mit einfachen Antriebsschaltungen und einer Drain-Quellenspannung von 250 V eignet sich der RD3U041AAFRA für Schaltapplikationen. Der RD3U041AAFRA n-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM mit 250 V und 4 A ist ein Automobilstandard-MOSFET, der AEC-Q101-qualifiziert ist.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Einfache Antriebsschaltungen
- Bleifreie Beschichtung
- RoHS-konform
- AEC-Q101-qualifiziert
Technische Daten
- VDSS: 250 V
- RDS (on): 1,3 Ω (max.)
- ID: ±4,0 A
- PD: 29 W
Typische Applikation
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Veröffentlichungsdatum: 2020-09-15
| Aktualisiert: 2024-10-22