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RD3U041AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3U041AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3U041AAFRATL
Price: 1.92 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RD3U041AAFRATL

Herst.- Nr.:

RD3U041AAFRATL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 250V(Vdss), 4.1A(Id), (10V Drive)

Datenblatt:

RD3U041AAFRATL Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1,92 €	1,92 €
	1,23 €	12,30 €
	0,833 €	83,30 €
	0,666 €	333,00 €
	0,63 €	630,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,552 €	1.380,00 €
	0,545 €	2.725,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	250 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.3 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.5 V
Qg - Gate-Ladung:	8.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	29 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	15 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	14 ns
Serie:	RD3
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Artikel # Aliases:	RD3U041AAFRA
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Datenblatt

RD3U041AAFRATL Datenblatt

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RD3U041AAFRA n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 250 V und 4 A

Der n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 250 V und 4 A der Baureihe RD3U041AAFRA von ROHM Semiconductor verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeiten. Mit einfachen Antriebsschaltungen und einer Drain-Quellenspannung von 250 V eignet sich der RD3U041AAFRA für Schaltapplikationen. Der RD3U041AAFRA n-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM mit 250 V und 4 A ist ein Automobilstandard-MOSFET, der AEC-Q101-qualifiziert ist.