Qorvo QPD1013 GaN-HF-Transistor
Der QPD1013 GaN-HF-Transistor von Qorvo ist ein leistungsstarker High Electron Mobility Transistor (HEMT) mit hoher Bandbreite, der von DC bis 2,7 GHz betrieben werden kann. Dieser einstufige unübertroffene Leistungstransistor ist ein diskretes 150W-GaN-on-SiC-Bauteil. Der QPD1013 HF-Transistor verfügt über ein umspritztes Kunststoffgehäuse und eignet sich für zahlreiche Applikationen wie z. B. Militär-Radar, Landmobil- und Militärfunk-Kommunikationen.Merkmale
- DC bis 2,7 GHz Frequenz
- Gehäuse mit niedrigem thermischen Widerstand
- CW- und Impuls-fähig
Applikationen
- Militär-Radar
- Landmobil- und Militärfunk-Kommunikation
- Prüf- und Messgeräte
- Breitband- oder Schmalband-Verstärker
- Störsender
Technische Daten
- 178 W Ausgangsleistung
- 21,8 dB lineare Gain
- 65 V Betriebsspannung
- 64,8 % PAE 3dB
Blockdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2018-01-24
| Aktualisiert: 2023-11-07
