Qorvo QPD1013 GaN-HF-Transistor

Der QPD1013 GaN-HF-Transistor von Qorvo ist ein leistungsstarker High Electron Mobility Transistor (HEMT) mit hoher Bandbreite, der von DC bis 2,7 GHz betrieben werden kann. Dieser einstufige unübertroffene Leistungstransistor ist ein diskretes 150W-GaN-on-SiC-Bauteil. Der QPD1013 HF-Transistor verfügt über ein umspritztes Kunststoffgehäuse und eignet sich für zahlreiche Applikationen wie z. B. Militär-Radar, Landmobil- und Militärfunk-Kommunikationen.

Merkmale

  • DC bis 2,7 GHz Frequenz
  • Gehäuse mit niedrigem thermischen Widerstand
  • CW- und Impuls-fähig

Applikationen

  • Militär-Radar
  • Landmobil- und Militärfunk-Kommunikation
  • Prüf- und Messgeräte
  • Breitband- oder Schmalband-Verstärker
  • Störsender

Technische Daten

  • 178 W Ausgangsleistung
  • 21,8 dB lineare Gain
  • 65 V Betriebsspannung
  • 64,8 % PAE 3dB

Blockdiagramm

Blockdiagramm - Qorvo QPD1013 GaN-HF-Transistor
Veröffentlichungsdatum: 2018-01-24 | Aktualisiert: 2023-11-07