QPD GaN-HF-Transistoren

Die QPD GaN-HF-Transistoren von Qorvo können in der Doherty-Architektur für die Endstufe eines Basisstation-Leistungsverstärkers für Makrozellensysteme mit hohem Wirkungsgrad verwendet werden. Diese GaN-Transistoren sind diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs, die mit einem einstufigen Leistungsverstärker-Transistor abgestimmt sind. Zu den typischen Applikationen gehören W-CDMA/LTE, Makrozellen-Basisstationen, aktive Antennen und Universal-Applikationen.

Ergebnisse: 34
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Qorvo GaN FETs DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
Datenblatt
375Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W
Qorvo GaN FETs DC-3.6GHz GaN 90W 48V
Datenblatt
17Auf Lager
100erwartet ab 18.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo GaN FETs DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Datenblatt
25Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
Datenblatt
48Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr
Datenblatt
29Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-20 32 V 1.8 A
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Datenblatt
9Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
Datenblatt
15Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
Datenblatt
48Auf Lager
50erwartet ab 09.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 400 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 13.5 W
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
Datenblatt
123Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN
Datenblatt
65Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V - 40 C + 85 C 144 W
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 45W GaN 48V
Datenblatt
217Auf Lager
250erwartet ab 29.09.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W
Qorvo GaN FETs DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Datenblatt
29Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN FETs 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
Datenblatt
96Auf Lager
700erwartet ab 27.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo GaN FETs DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Datenblatt
75erwartet ab 27.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN FETs 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
Datenblatt
1.550erwartet ab 19.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo GaN FETs .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
Datenblatt
355erwartet ab 27.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-EP-16 N-Channel 32 V 557 mA 15.3 W
Qorvo GaN FETs DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Datenblatt
19erwartet ab 27.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
Datenblatt
Produkt-Kommentare
100erwartet ab 03.08.2026
Min.: 100
Mult.: 100

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
Datenblatt
40erwartet ab 20.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 32 V 250 mA - 40 C + 85 C
Qorvo GaN FETs 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 18
Mult.: 18

SMD/SMT RF-565 N-Channel 50 V 15 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 370 W
Qorvo GaN FETs DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1.7 A - 40 C + 85 C 67 W
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100

NI-360 N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100

Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5
Mult.: 5

SMD/SMT DIE N-Channel 80 mA - 40 C + 85 C 8.9 W