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Qorvo GaN-Transistorlösungen für Sub-6-GHz-5G

Die GaN-Transistorlösungen für Sub-6-GHz-5G von Qorvo sind ein großes Portfolio diskreter Galliumnitrid(GaN)-Transistorprodukte. Die Bauteile verfügen über unterschiedliche Stufen von Leistung, Spannung und Frequenz auf Chip-Ebene und in Gehäuselösungen. Diese Produkte bieten eine hohe GaN-Leistung und die Vorteile der Industriestandard-Gehäuse. Dadurch werden Design und Fertigung beschleunigt und durch eine branchenführende Zuverlässigkeit gestützt.

Verwandte Produkte

Qorvo QPD0005 GaN-HF-Transistoren

Einstufige, unangepasste Transistoren, die PSAT von 8,7 W bei einem 48-V-Betrieb liefern können.

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Qorvo QPD GaN-HF-Transistoren

Wird in der Doherty-Architektur für die Endstufe eines Basisstations-Leistungsverstärkers verwendet.

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Qorvo QPD1009 und QPD1010 GaN-HF-Transistoren

Diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs, welche von DC bis 4 GHz betrieben werden und mithilfe des bewährten QGaN25HV-Prozesses konstruiert wurden.

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Qorvo QPD1013 GaN-HF-Transistor

Hochleistungs- und Breitband-HEMT, der von DC bis 2,7 GHz betrieben werden kann.

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Evaluierungsboards

Qorvo QPD1013 GaN-HF-Transistor-Evaluierungsboard

Evaluiert den QPD1013 GaN-HF-Transistor.

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Qorvo QPD0005 Evaluierungsboard

Zur Evaluierung des QPD0005 einstufigen, unangepassten GaN-SiC-HF-Transistors ausgelegt.

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Teilnummer Beschreibung Datenblatt
QPD1009 GaN FETs DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN QPD1009 Datenblatt
QPD0030EVB01 RF-Entwicklungstools DC-4 GHz, 45W, 48V GaN RF Pwr Tr QPD0030EVB01 Datenblatt
QPD1013EVB01 RF-Entwicklungstools DC-2.7GHz 150W Eval Board QPD1013EVB01 Datenblatt
Veröffentlichungsdatum: 2019-01-14 | Aktualisiert: 2023-11-07