ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB Leistungs-MOSFETs
ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB Leistungs-MOSFETs sind AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs in Fahrzeugqualität. Diese MOSFETs bieten einen Drain-Source Spannungsbereich von -40 V bis 100 V, 8 Anschlüsse, bis 69 W Verlustleistung und ±12A bis ±27 A Dauersenkenstrom. Die Leistungs-MOSFETs RQ3xFRATCB sind in n-Kanal und p-Kanal erhältlich. Diese Leistungs-MOSFETs sind in einem kleinen 3,3 mm x 3,3 mm HSMT8AG-Gehäuse untergebracht. Die RQ3xFRATCB Leistungs-MOSFETs sind ideal für fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (Advanced Driver Assistance Systems, ADAS), Infotainment, Beleuchtung und Karosserie.
Merkmale
- AEC-Q101-qualifiziert
- Kleines und leistungsstarkes Gehäuse
- Verwirklichung der hohen Montagezuverlässigkeit durch die originale Anschluss- und Beschichtungsbehandlung
- Verfügbar in n-Kanal und p-Kanal
- Größe: 3,3 mm x 3,3 mm (t=0,8)
- HSMT8AG-Gehäuse
Applikationen
- Erweiterte Fahrerassistenzsysteme (Advanced Driver Assistance Systems, ADAS)
- Infotainment
- Beleuchtung
- Gehäuse-
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| Teilnummer | Datenblatt | Transistorpolung | Anzahl der Kanäle | Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Qg - Gate-Ladung | Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung | Pd - Verlustleistung | Abfallzeit | Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min. | Anstiegszeit | Regelabschaltverzögerungszeit | Typische Einschaltverzögerungszeit |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RQ3G270BJFRATCB |  |
P-Channel | 1 Channel | 40 V | 27 A | 22 mOhms | 32 nC | 2.5 V | 69 W | 37 ns | 11 S | 15 ns | 126 ns | 10 ns |
| RQ3G120BJFRATCB | |
P-Channel | 1 Channel | 40 V | 12 A | 48 mOhms | 15.5 nC | 2.5 V | 40 W | 9.8 ns | 6.5 S | 4.7 ns | 36 ns | 6.7 ns |
| RQ3L120BJFRATCB | |
P-Channel | 1 Channel | 60 V | 12 A | 106 mOhms | 15.7 nC | 2.5 V | 40 W | 18 ns | 7.8 S | 13 ns | 52 ns | 8.7 ns |
Veröffentlichungsdatum: 2024-05-22
| Aktualisiert: 2024-06-11