RQ3xFRATCB Leistungs-MOSFETs

ROHM Semiconductor  RQ3xFRATCB Leistungs-MOSFETs sind AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs in Fahrzeugqualität. Diese MOSFETs bieten einen Drain-Source Spannungsbereich von -40 V bis 100 V, 8 Anschlüsse, bis 69 W Verlustleistung und ±12A  bis ±27 A Dauersenkenstrom. Die Leistungs-MOSFETs RQ3xFRATCB sind in n-Kanal und p-Kanal erhältlich. Diese Leistungs-MOSFETs sind in einem kleinen 3,3 mm x 3,3 mm HSMT8AG-Gehäuse untergebracht. Die RQ3xFRATCB Leistungs-MOSFETs sind ideal für fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (Advanced Driver Assistance Systems, ADAS), Infotainment, Beleuchtung und Karosserie.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Datenblatt
3.830Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 27 A 22 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Datenblatt
2.997Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 48 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Datenblatt
2.795Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 106 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape