ROHM Semiconductor RGE-Field-Stop-Trench-IGBTs

Die RGE-Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor  zeichnen sich durch eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, geringe Schaltverluste und eine Kurzschlussfestigkeit von 5 μs aus. Die  RGE-IGBTs von ROHM Semiconductor  sorgen für einen zuverlässigen Betrieb unter hochbelasteten Bedingungen. Die eingebaute schnelle und weiche Wiederherstellungs-FRD erhöht die Effizienz, während die RoHS-Konformität dank der bleifreien Beschichtung gewährleistet wird. Die RGE-Serie eignet sich perfekt für allgemeine Wechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme  (UPS), Stromaufbereiter und Schweißgeräte und bietet eine robuste Lösung für die Anforderungen des modernen Strommanagements.