RGE-Field-Stop-Trench-IGBTs

Die RGE-Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor  zeichnen sich durch eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, geringe Schaltverluste und eine Kurzschlussfestigkeit von 5 μs aus. Die  RGE-IGBTs von ROHM Semiconductor  sorgen für einen zuverlässigen Betrieb unter hochbelasteten Bedingungen. Die eingebaute schnelle und weiche Wiederherstellungs-FRD erhöht die Effizienz, während die RoHS-Konformität dank der bleifreien Beschichtung gewährleistet wird. Die RGE-Serie eignet sich perfekt für allgemeine Wechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme  (UPS), Stromaufbereiter und Schweißgeräte und bietet eine robuste Lösung für die Anforderungen des modernen Strommanagements.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
570Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 74 A 230 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
590Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 51 A 166 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
600Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 63 A 200 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
600Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 102 A 306 W - 40 C + 175 C Tube