ROHM Semiconductor RESD5U2MAFA TVS-Diode
Die ROHM Semiconductor RESD5U2MAFA Transientenspannungsschutz-Diode (TVS) ist ein kompaktes, leistungsstarkes Bauelement, das zum Schutz empfindlicher elektronischer Bauteile vor elektrostatischen Entladung (ESD) und Transientenspannungsspitzen konzipiert ist. Die RESD5U2MAFA von ROHM ist in einem ultra-kleinen DFN1006-3- Gehäuse (1,0 mm × 0,6 mm) untergebracht und eignet sich hervorragend für platzsparende Applikationen, wie Wearables, True Wireless Stereo (TWS), Ohrhörer und mobile Elektronik. Die Diode bietet einen robusten ESD-Schutz von bis zu ±7,5 kV (IEC61000-4-2) und zeichnet sich durch eine niedrige Klemmspannung aus, um die Belastung der geschützten Bauelemente zu reduzieren. Mit einer niedrigen Kapazität von 7,5 pF (typ.) unterstützt diese Diode Hochgeschwindigkeitssignalleitungen, ohne die Signalqualität zu beeinträchtigen. Dank der schnellen Anschwingzeit und des geringen Ableitstroms ist die Diode RESD5U2MAFA eine zuverlässige Wahl für den Schutz von Schnittstellen, Anschlüssen und anderen Schwachstellen in modernen elektronischen Designs.
Merkmale
- Ultrakleines oberflächenmontiertes SOT-883 (DFN1006-3)-Gehäuse, 1,0 mm x 0,6 mm x 0,4 mm (LxBxT)
- 2-line schutz
- Schaltung mit gemeinsamem A-Punkt
- Niedrige Kapazität von 7,5 pF (typ.)
- 3 x Anschlüsse
- Silizium-Epitaxie-Planarstruktur
- ESD-Fähigkeit pro IEC61000-4-2 – ±7,5 kV Luft, ±7,5 kV Kontakt
- RoHS-konform
Applikationen
- Überspannungsschutz
- Tragbare Elektronik
- TWS-Ohrhörer
- Mobile Geräte und tragbare Elektronik
- Hochgeschwindigkeitssignalleitungen
- Unterhaltungselektronik
- Bauteile für das Internet der Dinge (IoT)
- Sensor-Module
Technische Daten
- 25 W maximale Spitzenimpulsleistung
- 2 A maximaler Spitzenimpulsstrom
- 5 V maximale Sperrspannung
- 6,47 V bis 7,14 V Durchschlagspannungsbereich
- 100 nA maximaler Rückstrom
- 12,5 V typische Klemmspannung
- +150 °C maximale Sperrschichttemperatur
Innere Schaltung
Veröffentlichungsdatum: 2025-10-09
| Aktualisiert: 2025-10-16