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RESD5U2MAFAT2LB

Name: ROHM Semiconductor RESD5U2MAFAT2LB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RESD5U2MAFAT2LB
Price: 0.5 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RESD5U2MAFAT2LB

Herst.- Nr.:

RESD5U2MAFAT2LB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden TVS 5V 25W

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RESD5U2MAFAT2LB Datenblatt

ECAD Model:

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	0,132 €	132,00 €
	0,113 €	282,50 €
	0,098 €	490,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 8000)
	0,095 €	760,00 €
	0,092 €	2.208,00 €

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden
Polung:	Bidirectional
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Arbeitsspannung:	5 V
Montage:	SMD/SMT
Klemmspannung:	12.5 V
Überschlagsspannung:	6.47 V
Verpackung/Gehäuse:	DFN1006-3
Ipp - Spitzen-Impulsstrom:	2 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation (Spitzenimpuls-Verlustleistung):	25 W
Cd - Diodenkapazität:	7.5 pF
Vesd - Spannung ESD-Kontakt:	7.5 kV
Vesd - Spannung ESD-Luftspalt:	7.5 kV
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Produkt:	TVS Diodes
Verpackung ab Werk:	8000
Unterkategorie:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes

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TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

RESD5U2MAFA TVS-Diode

Die ROHM Semiconductor RESD5U2MAFA Transientenspannungsschutz-Diode (TVS) ist ein kompaktes, leistungsstarkes Bauelement, das zum Schutz empfindlicher elektronischer Bauteile vor elektrostatischen Entladung (ESD) und Transientenspannungsspitzen konzipiert ist. Die RESD5U2MAFA von ROHM ist in einem ultra-kleinen DFN1006-3- Gehäuse (1,0 mm × 0,6 mm) untergebracht und eignet sich hervorragend für platzsparende Applikationen, wie Wearables, True Wireless Stereo (TWS), Ohrhörer und mobile Elektronik. Die Diode bietet einen robusten ESD-Schutz von bis zu ±7,5 kV (IEC61000-4-2) und zeichnet sich durch eine niedrige Klemmspannung aus, um die Belastung der geschützten Bauelemente zu reduzieren. Mit einer niedrigen Kapazität von 7,5 pF (typ.) unterstützt diese Diode Hochgeschwindigkeitssignalleitungen, ohne die Signalqualität zu beeinträchtigen. Dank der schnellen Anschwingzeit und des geringen Ableitstroms ist die Diode RESD5U2MAFA eine zuverlässige Wahl für den Schutz von Schnittstellen, Anschlüssen und anderen Schwachstellen in modernen elektronischen Designs.