ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP-MOSFET
Der RA1C030LD ROHM Semiconductor WLCSP-MOSFET ist ein N Kanal-MOSFET, der mit einem niedrigen Einschaltwiderstand und einem Hochleistungspaket ausgestattet wurde. Diese Bauelement verfügt über eine Drain Source-Spannung von 20 VDSS, Dauersenkstrom von 3 A und einer Verlustleistung von1 W. Der RA1C030LD MOSFET bietet eine Antriebsspannung von 1,8 V, einen Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD) von 200 V (MM) bis zu 2 kV (HBM). Dieser MOSFET eignet sich für Schaltkreise, einzelne Batterie-Applikationen und mobile Applikationen. Der RA1C030LD MOSFET ist ein blei- und halogenfreies, RoHS-konformes Bauelement.
Merkmale
- 20 VDSS drain source-spannung
- 3 A Dauersenkenstrom
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines hochleistungsfähiges Gehäuse
- Gehäuse: Waver-Level-Chip-Size (WLCSP)
- ESD-Schutz von 200 V (MM) bis zu 2 kV (HBM)
- N-Kanal und 3 Anschlüsse
- 1 W Verlustleistung
- 1,8 V Antriebsspannung
- Bleifreie Beschichtung
- RoHs-konform
- Halogenfrei
Applikationen
- Schaltkreise
- Einzelliger Akku
- Handy
Innerer Kreislauf
Abmessungen
Gehäuse-Vergleichsdiagramm
Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2022-11-10
| Aktualisiert: 2023-01-13