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RA1C030LDT5CL

Name: ROHM Semiconductor RA1C030LDT5CL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RA1C030LDT5CL
Price: 0.42 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RA1C030LDT5CL

Herst.- Nr.:

RA1C030LDT5CL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)

Datenblatt:

RA1C030LDT5CL Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	0,421 €	0,42 €
	0,335 €	3,35 €
	0,214 €	21,40 €
	0,162 €	81,00 €
	0,131 €	131,00 €
	0,116 €	580,00 €
	0,096 €	960,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 15000)
	0,095 €	1.425,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WLCSP-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	140 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 200 mV, 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	1.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 50 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	15000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns
Artikel # Aliases:	RA1C030LD

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RA1C030LD WLCSP-MOSFET

Der RA1C030LD ROHM Semiconductor WLCSP-MOSFET ist ein N Kanal-MOSFET, der mit einem niedrigen Einschaltwiderstand und einem Hochleistungspaket ausgestattet wurde. Diese Bauelement verfügt über eine Drain Source-Spannung von 20 V_DSS, Dauersenkstrom von 3 A und einer Verlustleistung von1 W. Der RA1C030LD MOSFET bietet eine Antriebsspannung von 1,8 V, einen Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD) von 200 V (MM) bis zu 2 kV (HBM). Dieser MOSFET eignet sich für Schaltkreise, einzelne Batterie-Applikationen und mobile Applikationen. Der RA1C030LD MOSFET ist ein blei- und halogenfreies, RoHS-konformes Bauelement.