ROHM Semiconductor R6004PND3FRA 600-V-n-Kanal-Automotive-MOSFET
Der ROHM Semiconductor R6004PND3FRA 600 V-n-Kanal-Fahrzeug-MOSFET ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und einer schnellen Schaltgeschwindigkeit. Dieser MOSFET von ROHM Semiconductor enthält einfache Antriebsschaltungen und ist AEC-Q101-qualifiziert. Der R6004PND3FRA MOSFET bietet 1,8 Ω Drain-Source-Widerstand (RDS (on)), ±4 A Dauersenkenstrom (ID) und 65 W Verlustleistung (PD). Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für Schaltnetzteile.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Einfache Antriebsschaltungen
- Bleifreie (Pb-freie) Beschichtung
- AEC-Q101-qualifiziert
- ROHS-konform
Technische Daten
- 600 V Drain-Source-Spannung (VDSS)
- 1,8 Ω Maximaler Drain-Source-Widerstand (RDS (on))
- ±4 A Dauersenkenstrom (ID)
- 65 W Verlustleistung (PD)
- -55 °C bis +150 °C Betriebstemperaturbereich
- DPAK (TO-252) Gehäuse
Leistungsdiagramme
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Veröffentlichungsdatum: 2020-11-17
| Aktualisiert: 2024-10-29