R6004PND3FRATL

ROHM Semiconductor
755-R6004PND3FRATL
R6004PND3FRATL

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 1st Gen, for Auto

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Preis (EUR)

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Gurtabschnitt / MouseReel™
3,00 € 3,00 €
1,92 € 19,20 €
1,51 € 151,00 €
1,38 € 690,00 €
1,26 € 1.260,00 €
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
600 V
4 A
1.8 Ohms
- 25 V, 25 V
4.5 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
65 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 39 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 28 ns
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 44 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 23 ns
Artikel # Aliases: R6004PND3FRA
Gewicht pro Stück: 330 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not
intended for volume automotive production without ROHM
Semiconductors prior approval.

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales
Representative for further assistance.

5-0617-50

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

R6004PND3FRA 600-V-n-Kanal-Automotive-MOSFET

Der ROHM Semiconductor R6004PND3FRA 600 V-n-Kanal-Fahrzeug-MOSFET ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und einer schnellen Schaltgeschwindigkeit. Dieser MOSFET von ROHM Semiconductor enthält einfache Antriebsschaltungen und ist AEC-Q101-qualifiziert. Der R6004PND3FRA MOSFET bietet 1,8 Ω Drain-Source-Widerstand (RDS (on)), ±4 A Dauersenkenstrom (ID) und 65 W Verlustleistung (PD). Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für Schaltnetzteile.