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ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule

Die hochdichten Siliziumkarbid- (SiC) Leistungsmodule von ROHM Semiconductor wurden für eine hocheffiziente Leistungsumwandlung in Automobil- und Industrieanwendungen entwickelt. Das Sortiment umfasst mehrere Gehäuseplattformen wie TRCDRIVE pack™, HSDIP20 und DOT-247, die jeweils für unterschiedliche Leistungsklassen und Systemanforderungen optimiert sind. Diese Gehäuse integrieren SiC-MOSFETs in kompakte Modulstrukturen, die eine hohe Leistungsdichte, stabile Schaltleistung und effizientes Wärmemanagement ermöglichen. JJe nach Gehäuse sind Konfigurationen wie 2-in-1, 4-in-1 und 6-in-1 verfügbar, die Flexibilität für eine Vielzahl von Stromumwandlungs- und Motorantriebsanwendungen bieten.

Viele SiC-Module im Portfolio von ROHM unterstützen Betriebsspannungen bis zu 1200 V mit hoher Strombelastbarkeit. Die Bauelemente werden in Anwendungen wie Wechselrichtern, Wandlern, Bordladegeräten und Schaltungen zur Leistungsfaktorkorrektur (PFC) eingesetzt. Fortschrittliche Modulstrukturen und Substrate sind so konzipiert, dass sie eine effektive Wärmeableitung und einen zuverlässigen Betrieb in Hochleistungsumgebungen fördern. Diese Module können zur Implementierung gängiger Stromrichterarchitekturen verwendet werden, während auf Systemebene mehrstufige Topologien wie 3-stufige NPC, 3-stufige T-NPC und 5-stufige ANPC realisiert werden können.

Durch die Kombination fortschrittlicher SiC-Technologie mit optimierten Modulpaketen tragen die hochdichten SiC-Leistungsmodule von ROHM dazu bei, den Platzbedarf auf dem Board zu reduzieren und das Systemlayout zu vereinfachen. Diese Lösungen eignen sich für eine Vielzahl von Automobil- und Industrieanwendungen, bei denen Effizienz, Zuverlässigkeit und ein kompaktes Design entscheidend sind.

Merkmale

  • 1.200 V SiC Leistungsmodul-Plattform
  • Hohe Strombelastbarkeit für anspruchsvolle Stromversorgungssysteme
  • Erhältlich in DOT-247- und HSDIP20-Gehäusen
  • Kompakte Moduldesigns mit hoher Dichte
  • 2-in-1, 4-in-1 und 6-in-1-Konfigurationen
  • Unterstützt PFC-, LLC-, Wechselrichter- und Motorantriebstopologien
  • Optimierte thermische Betriebsverhalten für den Hochleistungsbetrieb
  • Ermöglicht reduzierten Boardplatz und vereinfachtes Systemdesign
  • Geeignet für Fahrzeug- und Industrieumgebungen

Applikationen

  • On-Board-Ladegeräte (OBC) für Kraftfahrzeuge
  • Wechselrichter für Elektro- und Hybridfahrzeuge.
  • Automotive-Leistungsumwandlungssysteme
  • Ladestationen für Elektrofahrzeuge und V2X-Systeme
  • Industrielle Motorantriebe und AC-Servobetriebe
  • PFC-Schaltungen
  • LLC- Resonanzwandler
  • PV-Wechselrichter und Leistungskonditionierer
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
  • Halbleiterrelais

Empfohlene Module

ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen

Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.

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Teilnummer Datenblatt Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Pd - Verlustleistung Id - Drain-Gleichstrom Anzahl der Kanäle Anstiegszeit Abfallzeit Regelabschaltverzögerungszeit Typische Einschaltverzögerungszeit
BST70B2P4K01-VC BST70B2P4K01-VC Datenblatt 1.2 kV 385 W 70 A 4 Channel 36 ns 15 ns 153 ns 36 ns
SCZ4011KTAC23 SCZ4011KTAC23 Datenblatt 1.2 kV 361 W 106 A 2 Channel 19 ns 16 ns 133 ns 24 ns
BST400D12P4A101 BST400D12P4A101 Datenblatt 1.2 kV 1.667 kW 394 A 2 Channel 102 ns 42 ns 198 ns 119 ns
BST91B1P4K01-VC BST91B1P4K01-VC Datenblatt 750 V 385 W 90 A 4 Channel 39.3 ns 14.2 ns 213.2 ns 49.3 ns
BST91T1P4K01-VC BST91T1P4K01-VC Datenblatt 750 V 385 W 90 A 6 Channel 39.3 ns 14.2 ns 213.2 ns 49.3 ns
BST47T1P4K01-VC BST47T1P4K01-VC Datenblatt 750 V 227 W 47 A 6 Channel 23 ns 15 ns 103 ns 24 ns
Veröffentlichungsdatum: 2026-03-03 | Aktualisiert: 2026-04-10