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BST400D12P4A101

Name: ROHM Semiconductor BST400D12P4A101
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BST400D12P4A101
Price: 527.34 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-BST400D12P4A101

Herst.- Nr.:

BST400D12P4A101

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFET-Module half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

BST400D12P4A101 Datenblatt

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFET-Module
Technologie:	SiC
Montageart:	Press Fit
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	394 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	1.667 kW
Verpackung:	Bulk
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	42 ns
Produkt:	Power Module
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	102 ns
Verpackung ab Werk:	80
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	EcoSiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	198 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	119 ns

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Datenblatt

BST400D12P4A101 Datenblatt

Specification Sheets

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Konformitätscodes

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Hochdichte SiC-Leistungsmodule

Die hochdichten Siliziumkarbid- (SiC) Leistungsmodule von ROHM Semiconductor wurden für eine hocheffiziente Leistungsumwandlung in Automobil- und Industrieanwendungen entwickelt. Das Sortiment umfasst mehrere Gehäuseplattformen wie TRCDRIVE pack™, HSDIP20 und DOT-247, die jeweils für unterschiedliche Leistungsklassen und Systemanforderungen optimiert sind. Diese Gehäuse integrieren SiC-MOSFETs in kompakte Modulstrukturen, die eine hohe Leistungsdichte, stabile Schaltleistung und effizientes Wärmemanagement ermöglichen. JJe nach Gehäuse sind Konfigurationen wie 2-in-1, 4-in-1 und 6-in-1 verfügbar, die Flexibilität für eine Vielzahl von Stromumwandlungs- und Motorantriebsanwendungen bieten.

BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen

Die BST400D12P4A101 und BST400D12P4A111 TRCDRIVE pack™ von ROHM Semiconductor mit geformten 2-in-1-SiC-Modulen bieten eine Nennspannung von 1.200 V in einem kompakten Gehäuse mit Abmessungen von 41,6 mm × 52,5 mm. Diese Module integrieren SiC-MOSFETs der 4. Generation in einem leistungstarken Design, das die Größe von Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge (xEV) erheblich reduziert. Die Module BST400D12P4A101 und BST400D12P4A111 von ROHM Semiconductor unterstützen bis zu 300 kW und verfügen über eine Anschlusskonfiguration, die speziell für die kritischen Herausforderungen von Traktionswechselrichtern im Hinblick auf Miniaturisierung, höhere Effizienz und weniger Arbeitsstunden entwickelt wurde. Diese Module erfordern kein Löten der Signalanschlüsse und sind daher für Entwickler einfach zu handhaben.