ROHM Semiconductor n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs der 4. Generation
Die Leistungs-MOSFETs der 4. Generation mit N-Kanal aus Siliziumcarbid (SiC) von ROHM Semiconductor bieten niedrige On-Widerstände und eine verbesserte Kurzschlusstoleranz. Die MOSFETs der 4. Generation aus SiC lassen sich einfach parallel schalten und einfach ansteuern. Die MOSFETs zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten/Sperrverzögerung, geringe Schaltverluste und eine maximale Betriebstemperatur von +175°C aus. Die N-Kanal SiC Leistungs-MOSFETs der 4. Generation von ROHM unterstützen eine 15 V Gate-Source-Spannung, die zur Energieeinsparung des Bauelements beiträgt.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand mit verbesserter Kurzschlussfestigkeit
- Reduziert Schaltverluste durch drastische Reduzierung der parasitären Kapazität
- Unterstützt eine Gate-Source-Spannung von 15 V, wodurch die Flexibilität beim Design verbessert wird
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrverzögerung
- Kann einfach parallelgeschaltet werden
- Einfacher Antrieb
- Siliziumkarbid(SiC)-Technologie
- n-Kanal-Transistor-Polarität
- Einkanal
- Durchsteckmontage
- Erweiterungsmodus
- Maximale Betriebstemperatur: +175 °C
- Optionen mit AEC-Q101-Qualifizierung verfügbar
- Bleifrei, RoHS- und REACH-konform
Applikationen
- Fahrzeuge
- Schaltnetzteile
- Solarwechselrichter
- DC/DC-Wandler
- Induktionserwärmung
- Motorantriebe
Technische Daten
- 3 bis 7 Pins
- Gate-Source-Spannungsbereich von -4 V bis +21 V, Schwellenwert von 4,8 V
- Gate-Ladungsbereich: 63 nC bis 170 nC
- Dauersenkenstrombereich: 26 A bis 105 A
- On-Drain-Quellenwiderstand: 13 mΩ bis 62 mΩ
- Drain-Source-Durchschlagspannung: 750 V oder 1,2 kV
- Anstiegszeit: 11 ns bis 57 ns
- Abfallzeit: 9,6 ns bis 21 ns
- Typische Verzögerungszeit
- Einschaltzeit: 4,4 ns bis 20 ns
- Ausschaltbereich: 22 ns bis 83 ns
- Verlustleistungsbereich: 93 W bis 312 W
- Verfügbare Gehäuse
- TO-247-4L
- TO-247N-3
- TO-263-7L
Videos
Leistung
Applikationshinweise
Empfohlene MOSFETs
ROHM Semiconductor SCT4013DR N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
Es verfügt über eine Nennspannung von 750 V zwischen Drain und Source und einen Dauersenkenstrom von 105 A (bei +25°C).
ROHM Semiconductor SCT4013DW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
Ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand mit 750 V und 13 mΩ, der für ein schnelles Schalten ausgelegt ist.
ROHM Semiconductor Leistungs-MOSFET SCT4018KR mit N-Kanal aus Siliciumcarbid (SiC)
Mit einer Nennspannung von 1.200 V zwischen Drain und Source und einem Dauersenkenstrom von 81 A (bei 25°C).
ROHM Semiconductor SCT4018KW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
Ermöglicht einen einfachen Antrieb und eine einfache Parallelschaltung, einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
ROHM Semiconductor SCT4036KW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET.
Ein MOSFET mit 1.200 V und 36 mΩ in einem TO-263-7L-Gehäuse, der einfach anzusteuern ist und einfach parallelgeschaltet werden kann.
ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
Mit einer Nennspannung von 750 V und einem Dauersenkenstrom von 31 A (+25°C).
ROHM Semiconductor SCT4062KWAHR AEC-Q101 N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
Dieser Leistungs-MOSFET aus Siliciumcarbid (SiC) verfügt über eine hohe Nennspannung von 1.200 V zwischen Drain und Source und einen Dauersenkenstrom von 24 A (bei +25°C).
ROHM Semiconductor N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs
Kein Nachlaufstrom während des Schaltens führt zu einem schnelleren Betrieb und reduzierten Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs
Kann zur Erhöhung der Schaltfrequenz eingesetzt werden, wodurch die Größe der externen Komponenten reduziert wird.