SCT4018KW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT4018KW7TL
SCT4018KW7TL

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 75A N-CH SIC

Datenblatt:
ECAD Model:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
75 A
23.4 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
267 W
Enhancement
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 22 S
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Verpackung: MouseReel
Produkt: MOSFET's
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 21 ns
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Technologie: SiC
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13 ns
Artikel # Aliases: SCT4018KW7
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Datenblatt

Specification Sheets

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Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SCT4018KW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

Der ROHM Semiconductor SCT4018KW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Der SCT4018KW7 ermöglicht eine einfache Ansteuerung und eine einfache Parallelschaltung. Das Bauelement verfügt außerdem über eine bleifreie Leitungsbeschichtung und ist RoHs-konform. Der SCT4018KW7 N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor eignet sich für Solarwechselrichter, Induktionserwärmung, Schaltnetzteile, DC/DC-Wandler und Motorantriebe.

n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs der 4. Generation

Die Leistungs-MOSFETs der 4. Generation mit N-Kanal aus Siliziumcarbid (SiC) von ROHM Semiconductor bieten niedrige On-Widerstände und eine verbesserte Kurzschlusstoleranz. Die MOSFETs der 4. Generation aus SiC lassen sich einfach parallel schalten und einfach ansteuern. Die MOSFETs zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten/Sperrverzögerung, geringe Schaltverluste und eine maximale Betriebstemperatur von +175°C aus. Die N-Kanal SiC Leistungs-MOSFETs der 4. Generation von ROHM unterstützen eine 15 V Gate-Source-Spannung, die zur Energieeinsparung des Bauelements beiträgt.

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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
26,89 € 26,89 €
20,06 € 200,60 €
19,62 € 1.962,00 €
18,89 € 9.445,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
16,95 € 16.950,00 €
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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