onsemi EliteSiC (Siliziumkarbid) 650-V-MOSFETs

Onsemi EliteSiC (Siliziumkarbid) 650-V-MOSFETs verwenden eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der niedrige On-Widerstand und die kompakte Chip-Größe eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Folglich umfassen die Vorteile des Systems den höchsten Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Das TOLL-Gehäuse von onsemi bietet dank der Kelvin-Quellenkonfiguration und einer niedrigeren parasitären Quelleninduktivität eine verbesserte thermische Leistungsfähigkeit und eine ausgezeichnete Schaltleistung. TOLL bietet eine Feuchteempfindlichkeit von Stufe 1 (MSL 1).