NVHL045N065SC1

onsemi
863-NVHL045N065SC1
NVHL045N065SC1

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
66 A
32 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
105 nC
- 55 C
+ 175 C
291 W
Enhancement
EliteSiC
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 16 S
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 30 ns
Serie: NVHL045N065SC1
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 14 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

M2 EliteSiC-MOSFETs

onsemi M2 EliteSic-MOSFETs verfügen über Spannungsoptionen von 650 V, 750 V und 1.200 V. Die M2-MOSFETs von onsemi sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, einschließlich D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4-8x8, TO-247-3LD und TO-247-4LD. Die MOSFETs bieten Flexibilität bei Design und Implementierung. Darüber hinaus verfügen die M2 EliteSic MOSFETs über eine maximale Gate-Source-Spannung von +22 V/-8 V, einen niedrigen RDS(on) und eine hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT).

NVHL045N065SC1 Siliziumkarbid (SiC) -MOSFETs

Die Siliziumkarbid (SiC) -MOSFETs NVHL045N065SC1 von onsemi verfügen über die EliteSic-Technologie und liefern hervorragende Schaltleistung. Die MOSFETs NVHL045N065SC1 von onsemi bieten eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-MOSFETs. Durch den geringen On-Widerstand und die kompakte Chipgröße der MOSFETs wird eine niedrige Kapazität erreicht, was zu hoher Effizienz, schneller Betriebsfrequenz, erhöhter Leistungsdichte, reduzierter elektromagnetischer Störung (EMI) und einer kompakteren Systemgröße beiträgt. Diese MOSFETs setzen fortschrittliche Technologie für eine optimierte Leistung in elektronischen Anwendungen ein.

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