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NVHL015N065SC1

Name: onsemi NVHL015N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL015N065SC1
Price: 33.45 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVHL015N065SC1

Herst.- Nr.:

NVHL015N065SC1

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

Datenblatt:

NVHL015N065SC1 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	163 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Qg - Gate-Ladung:	283 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	643 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	44 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	77 ns
Serie:	NVHL015N065SC1
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorpolung:	N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	47 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns

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Datenblatt

NVHL015N065SC1 Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

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NVHL015N065SC1

Herst.: onsemi

Beschreibung: SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

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