Nexperia PBSS5350X PNP-Bipolartransistor

Der Nexperia PBSS5350X PNP-Bipolartransistor hat eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V_CEsat) und ist in einem kompakten SOT89 (SC-62)-Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage untergebracht. Dieses Transistor zeichnet sich durch eine hohe Kollektorstromfähigkeit aus und bietet einen hohen Wirkungsgrad, was zu einer geringeren Wärmeentwicklung führt. Der PBSS5350X-Transistor ist AEC-Q101-qualifiziert und eignet sich für Applikationen, die einen hohen Wirkungsgrad und kompakte PCB-Layouts erfordern. Zu den Applikationen gehören unter anderem DC/DC-Wandler, Akkuladegeräte, LCD-Hintergrundbeleuchtung und Peripherie-Treiber.

Merkmale

Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V_CEsat)
Hohe Kollektorstromfähigkeit (I_C = -3 A)
-50 V (V_CEO) Kollektor-Emitter-Spannung
Höherer Wirkungsgrad, der zu geringerer Wärmeentwicklung führt
Reduzierte Leiterplattenanforderungen

AEC-Q101-qualifiziert
-65 °C bis 150 °C Lagertemperaturbereich
SOT89 (SC-62) Flachanschluss-Oberflächenmontage-Gerät (SMD) Kunststoffgehäuse

Applikationen

Leistungsmanagement:
- DC/DC-Wandler
- Versorgungsleitungsschaltung
- Akkuladegeräte
- LCD-Hintergrundbeleuchtung

Peripherie-Treiber:
- Treiber in Applikationen mit niedriger Versorgungsspannung (z. B. Lampen und LEDs)
- Induktive Lasttreiber (z. B. Relais, Summer und Motoren)