Nexperia PBSS4350X NPN-Bipolartransistor

Der Nexperia PBSS4350X NPN-Bipolartransistor ist mit einer niedrigen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V_CEsat) ausgestattet und in einem kompakten SOT89-Kunststoffgehäuse (SC-62) zur Oberflächenmontage untergebracht. Dieser Transistor verfügt über eine hohe Kollektorstromfähigkeit und bietet einen hohen Wirkungsgrad, was zu einer geringeren Wärmeentwicklung führt. Der PBSS4350X-Transistor ist AEC-Q101-qualifiziert und eignet sich für Applikationen, die einen hohen Wirkungsgrad und kompakte PCB-Layouts erfordern. Zu den Applikationen zählen unter anderem DC/DC-Wandler, Akkuladegeräte, LCD-Hintergrundbeleuchtungen und Peripherietreiber.

Merkmale

Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V_CEsat)
Hohe Kollektorstromfähigkeit (I_C = 3A)
50 V (V_CEO) Kollektor-Emitter-Spannung
Höherer Wirkungsgrad führt zu geringerer Wärmeentwicklung
Reduzierte Leiterplattenanforderungen

AEC-Q101-qualifiziert
-65 °C bis 150 °C Lagertemperaturbereich
SOT89 (SC-62) Oberflächenmontiertes Gerät (SMD) Kunststoffgehäuse

Applikationen

Leistungsmanagement:
- DC/DC-Wandler
- Versorgungsleitungsschaltung
- Akkuladegeräte
- LCD-Hintergrundbeleuchtung

Peripherie-Treiber:
- Treiber in Applikationen mit niedriger Versorgungsspannung (z. B. Lampen und LEDs)
- Induktive Lasttreiber (z. B. Relais, Summer und Motoren)