Nexperia PBSS5330X PNP Bipolartransistor

Der Nexperia PBSS5330X PNP Bipolartransistor ist mit einer niedrigen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V_CEsat) konzipiert und untergebracht in einem kompakten SOT89 (SC-62) Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Dieser Transistor zeichnet sich durch eine hohe Kollektorstrombelastbarkeit aus und bietet einen hohen Wirkungsgrad, was zu einer geringeren Wärmeentwicklung führt. Der PBSS5330X-Transistor ist AEC-Q101-qualifiziert und eignet sich für Applikationen, die einen hohen Wirkungsgrad und kompakte PCB-Layouts erfordern. Zu den Applikationen gehören unter anderem DC/DC-Wandler, Akkuladegeräte, LCD- Hintergrundbeleuchtung und Peripherie-Treiber.

Merkmale

Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V_CEsat)
Hohe Kollektorstrombelastbarkeit (I_C = -3 A)
-30 V (V_CEO) Kollektor-Emitter-Spannung
Höherer Wirkungsgrad führt zu geringerer Wärmeentwicklung
Reduzierte Leiterplattenanforderungen

AEC-Q101-qualifiziert
-65 °C bis 150 °C Lagertemperaturbereich
SOT89 (SC-62) Flachanschluss-Oberflächenmontage-Gerät (SMD) Kunststoffgehäuse

Applikationen

Leistungsmanagement:
- DC/DC-Wandler
- Versorgungsleitungsschaltung
- Akkuladegeräte
- LCD-Hintergrundbeleuchtung

Peripherie-Treiber:
- Treiber in Applikationen mit niedriger Versorgungsspannung (z. B. Lampen und LEDs)
- Induktive Lasttreiber (z. B. Relais, Summer und Motoren)