Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual-Konfigurationsmodule

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual-Konfigurationsmodule basieren auf der Mikromuster-Trench-Technologie, die Verluste reduziert und eine hohe Steuerbarkeit bietet. Das Zellkonzept zeichnet sich durch die Implementierung paralleler Trenchzellen aus, die im Gegensatz zu quadratischen Trench-Zellen durch Sub-Mikron-Mesas getrennt sind. Ein speziell optimierter Chip für industrielle Antriebsapplikationen und Solarenergiesysteme bietet geringe statische Verluste, eine hohe Leistungsdichte und ein sanftes Schalten. Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C ermöglichen die Module eine deutliche Erhöhung der Leistungsdichte.

Merkmale

  • Überlastfestigkeit
  • Niedrige Durchlassspannung
  • Verbesserte Steuerbarkeit
  • Verbesserte Diode
  • Hohe Zuverlässigkeit der Zusammenschaltung
  • Vereinfachtes Wechselrichtersystem
  • Höhere Leistung
  • Sprung der Rahmengröße
  • Niedrige Verluste
  • Optimierter Antrieb

Applikationen

  • Motorsteuerung und -antriebe
  • Nutz-, Bau- und landwirtschaftliche Fahrzeuge
  • Photovoltaische Energiesystemlösungen
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)

Technische Daten

  • Spannungsklasse: 1200 V oder 2300 V
  • Dauerkollektorstrom: 300 A bis 1800 A
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungsbereich: 1,5 V bis 1,8 V (typisch)
  • Gate-Emitter-Leckstrom: 100 nA
  • Betriebstemperaturbereich: -40 °CC bis +175 °CC

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Veröffentlichungsdatum: 2023-05-02 | Aktualisiert: 2024-01-30