Ergebnisse: 10
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Produkt Konfiguration Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Kollektorgleichstrom bei 25 C Kriechstrom Gate-Emitter Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 450 A dual IGBT module 17Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 2300 V, 1800 A dual IGBT module
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 600 A dual IGBT module 36Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 900 A dual IGBT module 20Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 900 A dual IGBT module 32Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 300 A dual IGBT module 13Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module PP IHM I
Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 750 A dual IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 750 A dual IGBT module Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 900 A dual IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray