Infineon Technologies FF900R12ME7_B11 Dual-IGBT-Modul
Das FF900R12ME7_B11 Dual-IGBT-Modul von Infineon Technologies verfügt über das EconoDUAL™ 3 Dual-TRENCHSTOP™-IGBT7-Modul mit NTC und PressFIT-Kontakttechnologie. Dieses IGBT-Modul hat eine hohe Leistungsdichte, verbesserte Anschlüsse und einen integrierten NTC-Temperatursensor. Das FF900R12ME7_B11 Modul bietet eine einfache und zuverlässige Montage und verhindert die Parallelschaltung von IGBT-Modulen. Dieses IGBT-Modul kann in einem Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C gelagert werden. Das FF900R12ME7_B11 Modul enthält eine optimierte Kriechstrecke für 1.500-V-PV-Applikationen sowie PressFIT-Steuerpins und Schraubleistungsanschlüsse. Dieses IGBT-Modul eignet sich hervorragend für den Einsatz in Motorsteuerungs-Bauteilen, Lösungen für Solarenergiesysteme, Servoantriebe und USV-Systeme.
Merkmale
- Elektrische Merkmale:
- Integrierter Temperatursensor
- Trenchstop™ IGBT 7
- VCEsat mit einem positiven Temperaturkoeffizienten
- Mechanische Merkmale:
- Hohe Leistungsdichte
- Isolierte Grundplatte
- PressFit-Kontakttechnologie
- Standardgehäuse
- Höherer Umrichter-Ausgangsstrom für die gleiche Rahmengröße
- Reduzierte Anlagekosten durch Vereinfachung der Umrichtersysteme
- Einfache und zuverlässigste Montage
- Hohe Zuverlässigkeit der Verbindung
Applikationen
- Hochleistungswandler
- Nutzfahrzeuge in der Landwirtschaft
- Motorantriebe
- Servoantriebe
- USV-Systeme
Technische Daten
- Kollektor-Emitter-Spannung: 1.200 V
- DC-Kollektordauerstrom: 900 A
- Repetitiver Kollektorspitzenstrom: 1.800 A
- Lagertemperaturbereich: -40 °C bis +125 °C
FF900R12ME7_B11 Schaltung - Darstellung
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Veröffentlichungsdatum: 2019-12-01
| Aktualisiert: 2024-01-30