Infineon Technologies CoolSiC™ G2 Siliziumkarbid-MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ G2 Siliciumcarbid -MOSFETs ermöglichen ein hervorragendes Betriebsverhalten von SiC und erfüllen gleichzeitig höchste Qualitätsstandards in allen gängigen Stromversorgungskombinationen (AC-DC, DC/DC und DC-AC). SiC -MOSFETs bieten im Vergleich zu Si-Alternativen ein höheres Betriebsverhalten für Photovoltaik- Umrichter Energiespeichersysteme, Ladeinfrastruktur-Speicher Elektrofahrzeuge, Stromversorgungen und Motorantriebe. Infineon CoolSiC G2 MOSFETs erweitern die einzigartige XT-Verbindungstechnologie (z. B. in diskreten Gehäusen TO-263-7, TO-247-4), die die gemeinsame Herausforderung der Verbesserung der Halbleiterchip-Leistung bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung der thermischen Leistungsfähigkeit überwindet. Die thermische Leistungsfähigkeit des G2 ist 12 % besser, wodurch die Leistungskennzahlen des Chips auf ein robustes Niveau des SiC Betriebsverhalten angehoben werden.