CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs

Die CoolSiC™ 750 V G2 Siliciumcarbid-MOSFETs von Infineon Technologies sind so konzipiert, dass sie einen hohen Wirkungsgrad, Robustheit gegen parasitäres Einschalten für unipolare Gate-Ansteuerung und Zuverlässigkeit bieten. Diese MOSFETs bieten ein überlegenes Betriebsverhalten in Totem-Pole-, ANPC-, Vienna-Gleichrichter- und FCC-Hartschalt-Topologien.  Die Reduzierung der Ausgangskapazität (Coss) ermöglicht es den MOSFETs, in den Cycloconverter-, CLLC-, DAB- und LLC-Soft-Switching-Topologien bei höheren Schaltfrequenzen zu arbeiten. Die CoolSiC™ 750 V G2 MOSFETs zeichnen sich durch einen maximalen Drain-Source-Einschaltwiderstand von bis zu 78 mΩ sowie durch geringe Schaltverluste dank verbesserter Gate-Steuerung aus. Diese MOSFETs sind sowohl fahrzeug- als auch industrietauglich. Typische Applikationen umfassen Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, Telekommunikation, Leistungsschalter, Halbleiterrelais, Solar-Wechselrichter und HV-LV DC/DC-Wandler.

Ergebnisse: 17
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
140Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
133Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
140Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
118Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
140Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
140Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
138Auf Lager
1.000erwartet ab 23.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
119Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Datenblatt
1.391Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 103 A 20 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
140Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 198 A 9 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
1.071Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 222 A 8.5 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 171 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Datenblatt
643Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 70 A 31 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Datenblatt
710Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 30 A 78 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
754Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 103 A 20 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
162Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 70 A 31 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
171Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 30 A 78 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
1.500Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 357 A 5 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 342 nC - 55 C + 175 C 1.499 kW Enhancement CoolSiC