Tube MOSFETs

Ergebnisse: 4.965
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Datenblatt
411Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
Datenblatt
299Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 30 V 62 A 35 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 112 nC - 55 C + 150 C 321 mW Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor MOSFETs SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
Datenblatt
2.102Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Datenblatt
1.901Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 26 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 295 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs 500V 20A NCH MOSFET
Datenblatt
7.438Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 59.5 nC - 55 C + 150 C 38.5 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
Datenblatt
10.888Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 1.45 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 225 W Enhancement QFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-247AD
Datenblatt
273Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 1.4 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 88 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs SF3 650V 50MOHM
Datenblatt
1.908Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 125 nC - 55 C + 150 C 378 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
Datenblatt
16.463Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 250 V 59 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 392 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
Datenblatt
6.774Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 108 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
Datenblatt
13.277Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 34 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement UniFET Tube
IXYS MOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Datenblatt
726Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
Datenblatt
6.021Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.6 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II Tube
IXYS MOSFETs 230A 200V
Datenblatt
931Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 230 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 358 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube


IXYS MOSFETs ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT
Datenblatt
366Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.7 kV 2 A 20 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 220 W Enhancement ISOPLUS i5-PAC Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
Datenblatt
37.706Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
Datenblatt
22.272Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 P-Channel 1 Channel 400 V 1.8 A 7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
Datenblatt
2.862Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 mA 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 34 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Datenblatt
931Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
Datenblatt
1.710Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole ITO-220AB-F-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET
Datenblatt
1.441Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tube
Panjit MOSFETs 100V 5mohm Low FOM MOSFET
Datenblatt
1.707Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-L-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 40.5 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
1.690Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs SuperFET2 800V
Datenblatt
1.485Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 58 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datenblatt
4.424Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube