STWA60N035M9

STMicroelectronics
511-STWA60N035M9
STWA60N035M9

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
Neu von diesem Hersteller.
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 300

Lagerbestand:
300 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1   Maximal: 50
Stückpreis:
-,-- €
Erw. Preis:
-,-- €
Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
7,07 € 7,07 €
5,14 € 51,40 €

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
30 V
62 A
35 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
112 nC
- 55 C
+ 150 C
321 mW
Enhancement
Tube
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 4.2 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 11 nc
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 81 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 28 ns
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000

MDmesh™ M9 Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh™ M9 von STMicroelectronics zeichnen sich durch eine verbesserte Bauelementstruktur, einen niedrigen ON-Widerstand und niedrige Gate-Ladungswerte aus. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine hohe Rückwärtsdioden-dv/dt- und MOSFET-dv/dt-Robustheit, eine hohe Leistungsdichte und geringe Leitungsverluste. Darüber hinaus bieten die MDmesh M9-Leistungs-MOSFETs eine hohe Schaltgeschwindigkeit, einen hohen Wirkungsgrad und geringe Schaltleistungsverluste. Diese Leistungs-MOSFETs sind mit der innovativen Hochspannungs-Super-Junction-Technologie ausgelegt, die eine beeindruckende Gütezahl (FoM) liefert. Der hohe FoM ermöglicht höhere Leistungsstufen und eine höhere Dichte für kompaktere Lösungen. Zu den typischen Applikationen gehören Server, Telekommunikations-Rechenzentren, 5G-Kraftwerke, Mikrowechselrichter und Schnell Ladegeräte.