Vishay Semiconductors E-Baureihe MOSFETs der 4. Generation

Die 4. Gen. MOSFETs der E-Baureihe von Vishay Semiconductors sind MOSFETs mit niedriger Gütezahl (Figure-of-Merit, FOM) und E-Baureihen-Technologie. Die E-Baureihe MOSFETs der 4. Gen. verfügen über eine niedrige Betriebskapazität und geringere Schalt- und Leitungsverluste. Diese MOSFETs sind UIS-eingestuft (Avalanche Energy Rated). Die MOSFETs der 4. Gen. sind in TO-220AB-, PowerPAK®-SO-8L-, PowerPak®-8-x-8-, DPAK- (TO-252) und Thin-Lead-TO-220-FULLPAK-Gehäusen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Server- und Telekommunikations-Netzteile, Schaltnetzteile (SNT) und Blindleistungskompensations-Netzteile (PFC).

Merkmale

  • E-Baureihen-Technologie der 4. Generation
  • Niedrige FOM Ron x Qg
  • Niedrige Betriebskapazität (CO(er))
  • Geringere Schalt- und Leitungsverluste
  • UIS-eingestuft (Avalanche Energy Rated)

Applikationen

  • Server- und Telekom-Netzteile
  • Schaltnetzteile (SNT)
  • Blindleistungskompensations-Netzteile (PFC)
  • Beleuchtung:
    • Hochdruckentladung (HID)
    • Vorschaltgeräte für Leuchtstoffröhren
  • Industrie:
    • Schweißen
    • Induktionserhitzer
    • Motorantriebe
    • Akkuladegeräte
    • Solar (PV-Wechselrichter)

Infographic

Vishay Semiconductors E-Baureihe MOSFETs der 4. Generation
Veröffentlichungsdatum: 2018-09-28 | Aktualisiert: 2023-08-14