EL-Baureihe Hochspannungs-MOSFETs

Hochspannungs-MOSFETs der EL-Baureihe von Vishay Semiconductors sind n-Kanal-MOSFETs, die die Schalt- und Leitungsverluste verringern. Diese Hochspannungs-MOSFETs bieten eine niedrige Figure-of-Merit (FOM), eine niedrige Eingangskapazität und eine niedrige Gate-Ladung. Die EL Hochspannungs-MOSFETs arbeiten mit 650 V Drain-Source-Spannung (VDS) und verwenden eine Einzel-Konfiguration. Diese Hochspannungs-MOSFETs sind mit einer UIS-Avalanche-Bewertung (UIS, Unclamped Inductive Switching) erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören Server- und Telekommunikations-Netzteile, Beleuchtung, Schweißen, Induktionserwärmung, Motorantriebe und Batterieladegeräte.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 21A N-CH MOSFET
Datenblatt
909Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 197 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 37 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK Nicht auf Lager
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) Nicht auf Lager
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG Nicht auf Lager
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC Nicht auf Lager
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 69 A 42 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 342 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement