STMicroelectronics STD80N240K6 800 V 16 A MDmesh K6 Leistungs-MOSFET
Der STD80N240K6 800V 16A MDmesh™ K6 Power MOSFET von STMicroelectronics bietet eine hervorragende RDS(on) x Fläche und eine niedrige Gesamt-Gate-Ladung (Qg), was hohe Schaltgeschwindigkeiten und geringe Verluste ermöglicht. Eine integrierte ESD-Schutzdiode erhöht die Gesamtrobustheit des STD80N240K6 MOSFETs bis zur HBM-Genauigkeitsklasse 2 (Human Body Model). Die MDmesh K6-MOSFETs haben im Vergleich zur vorherigen MDmesh K5-Generation eine niedrigere Schwellenspannung, was eine niedrigere Ansteuerspannung ermöglicht und somit die Leistungsverluste reduziert und die Effizienz vor allem bei Null-Watt-Standby-Anwendungen erhöht. Der STD80N240K6 ist für Beleuchtungsanwendungen mit Flyback-Topologie optimiert, z. B. für LED-Treiber und HID-Lampen. Das Gerät ist auch ideal für Adapter und Netzteile für Flachbildschirme geeignet.Der STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6 Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist in einem kompakten DPAK (TO-252) Gehäuse vom Typ A2 erhältlich.
Merkmale
- 800 V Drain-Source-Spannung (VDS)
- ±30 V Gate-Source-Spannung (VGS)
- 197 mΩ (typisch) Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(ON))
- 25,9 nC Gesamt-Gate-Ladung (Qg)
- Dauersenkenstrom (ID)
- 16 A bei TC = 25 °C
- 10 A bei TC = 100 °C
- 1µA Null-Gate-Spannung Drainstrom (IDSS)
- ±1 µA Gate Body Ableitstrom (IGSS)
- 3,5 V Gate-Schwellenspannung (VGS(th))
- 35 A Gepulster Drainstrom (IDM)
- 105 W gesamt Verlustleistung bei TC = 25 °C (PTOT)
- 100 % Avalanche-getestet
- Zener-geschützt
- -55 °C bis 150 °C Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich (TJ)
- DPAK (TO-252) Ausführung A2-Gehäuse
Applikationen
- Sperrwandler
- Adapter für Tablets, Notebooks und All-in-One-Computer
- LED-Beleuchtung
- Anzeigetafeln
Interne Schaltung
Gehäuseabmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2022-04-18
| Aktualisiert: 2024-06-25
