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STD80N240K6

Name: STMicroelectronics STD80N240K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N240K6
Price: 4.45 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STD80N240K6

Herst.- Nr.:

STD80N240K6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

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Datenblatt:

STD80N240K6 Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	4,45 €	4,45 €
	3,26 €	32,60 €
	2,63 €	263,00 €
	2,34 €	1.170,00 €
	2,00 €	2.000,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	2,00 €	5.000,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	16 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	220 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	25.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	105 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

STD80N240K6 Datenblatt (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STD80N240K6 800 V 16 A MDmesh K6 Leistungs-MOSFET

Der STD80N240K6 800V 16A MDmesh™ K6 Power MOSFET von STMicroelectronics bietet eine hervorragende R_DS(on) x Fläche und eine niedrige Gesamt-Gate-Ladung (Q_g), was hohe Schaltgeschwindigkeiten und geringe Verluste ermöglicht. Eine integrierte ESD-Schutzdiode erhöht die Gesamtrobustheit des STD80N240K6 MOSFETs bis zur HBM-Genauigkeitsklasse 2 (Human Body Model). Die MDmesh K6-MOSFETs haben im Vergleich zur vorherigen MDmesh K5-Generation eine niedrigere Schwellenspannung, was eine niedrigere Ansteuerspannung ermöglicht und somit die Leistungsverluste reduziert und die Effizienz vor allem bei Null-Watt-Standby-Anwendungen erhöht. Der STD80N240K6 ist für Beleuchtungsanwendungen mit Flyback-Topologie optimiert, z. B. für LED-Treiber und HID-Lampen. Das Gerät ist auch ideal für Adapter und Netzteile für Flachbildschirme geeignet.

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 von STMicroelectronics sind durch Zener-Dioden geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine Mindest-Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V und eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C aus. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 zeichnen sich außerdem durch eine maximale Dioden-Erholungs-Spannungsteilung von 5 V/ns, eine maximale Dioden-Erholungs-Stromteilung von 100 A/µs und eine MOSFET-dv/dt-Robustheit von 120 V/ns aus. Typische Anwendungen sind Notebooks und AIOs, Sperrwandler, Netzteile für Tablets und LED-Beleuchtung.